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期刊信息
  • 主管单位:
  • 上海市教育委员会
  • 主办单位:
  • 上海理工大学、上海市能源研究会、上海电气(集团)总公司
  • 主  编:
  • 陈康民
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55272843
  • 电子邮件:
  • eribjb@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1008-8857
  • 国内统一刊号:
  • 31-1410/TK
  • 邮发代号:
  • 单    价:
  • 5.00
  • 定    价:
  • 20.00
微电子器件的可靠性研究
Research on reliability of microelectronic devices
投稿时间:2013-08-13  
DOI:
中文关键词:  微电子器件  可靠性  热载流子  静电放电
英文关键词:microelectronic device  reliability  hot carrier  electrostatic discharge
基金项目:
作者单位
陈荣枝 北方工业大学 信息工程学院, 北京 100144 
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中文摘要:
      随着科技的不断发展,信息处理效率的提高,微电子器件的尺寸越来越小,这使得微电子器件的可靠性问题逐渐凸显出来.微电子器件可靠性主要受四个方面的影响:栅氧化层、热载流子、金属化、静电放电.通过对国内外现状的分析,主要介绍了影响微电子器件可靠性的四个主要因素及其产生原理,并提出了提高微电子器件可靠性的解决方案及措施.
英文摘要:
      With the development of technology,information processing efficiency is continuously improved and microelectronic devices get smaller and smaller,thus the microelectronic device reliability becomes increasingly important.Microelectronic device reliability is mainly affected by the gate oxide,hot carriers,metallization,and electrostatic discharge.Based on a review of the research progress at home and abroad,this paper introduces the four factors that influence the reliability of microelectronic devices,and analyzes the action mechanism.Finally,some methods for solving these problems are suggested.
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